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說(shuō)說(shuō)AI6000R介損測試儀特點(diǎn)及技術(shù)參數

瀏覽次數:1310發(fā)布日期:2020-12-14

AI6000R介損測試儀是發(fā)電廠(chǎng)、變電站等現場(chǎng)或實(shí)驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的精度測試儀器。儀器為一體化結構,內置介損測試電橋,可變頻調壓電源,升壓變壓器和SF6 穩定度標準電容器。測試高壓源由儀器內部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?/span>50Hz、47.5Hz\52.5Hz、45Hz\55Hz、60Hz、57.5Hz\62.5Hz、55Hz\65Hz,采用數字陷波技術(shù),避開(kāi)了工頻電場(chǎng)對測試的干擾,從根本上解決了強電場(chǎng)干擾下準確測量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機供電檢測的場(chǎng)合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質(zhì)損耗。

 

AI6000R介損測試儀儀器主要具有如下特點(diǎn)

  • 絕緣電阻測試

儀器集成絕緣電阻測試模塊,可進(jìn)行極化指數、吸收比以及絕緣電阻的測試。

  • LCR全自動(dòng)測量

全自動(dòng)電感、電容、電阻測量,角度顯示。

  • 多種測試模式

儀器能夠分別使用內高壓、外高壓、內標準、外標準、正接法、反接法、自激法等多種方式測試;在外標準外高壓情況下可以做高電壓(大于10kV)介質(zhì)損耗。

  • CVT測試一步到位

該儀器還可以測試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量,實(shí)現了C1、C2的同時(shí)測試。該儀器還可以測試CVT變比和電壓角差。

  • 不拆高壓引線(xiàn)測量CVT

儀器可在不拆除CVT高壓引線(xiàn)的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。

  • CVT反接屏蔽法測量C0

儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。

  • 多重保護安全可靠

儀器具備輸入電壓波動(dòng)、高壓電流、輸出短路、電源故障、過(guò)壓、過(guò)流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設置接地檢測功能,確保不接地設備不允許升壓。

  • 高速采樣信號

儀器內部的逆變器和采樣電路全部由數字化控制,輸出電壓連續可調。

  • 海量存儲數據

儀器內部配備有日歷芯片和大容量存儲器,保存數據200組,能將檢測結果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出。

  • 超大液晶中文顯示

操作簡(jiǎn)單,儀器配備了全觸摸液晶顯示屏,超大全觸摸操作界面,每過(guò)程都非常清晰明了,操作人員不需要額外的專(zhuān)業(yè)培訓就能使用。輕輕點(diǎn)擊一下就能完成整個(gè)過(guò)程的測量,是目前非常理想的智能型介損測量設備。

二  工作原理

在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數。儀器測量線(xiàn)路包括一標準回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖21所示。標準回路由內置高穩定度標準電容器與測量線(xiàn)路組成,被試回路由被試品和測量線(xiàn)路組成。測量線(xiàn)路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉換器組成。通過(guò)測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數字信號處理器運用數字化實(shí)時(shí)采集方法,通過(guò)矢量運算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場(chǎng)干擾下準確測量。

三   主要技術(shù)參數

1

使用條件

-15℃∽40℃

RH<80%

2

抗干擾原理

變頻法

3

電    源

AC 220V±10%

允許發(fā)電機

4

高壓輸出

0.5KV∽10KV

每隔0.1kV

精度:2%

大電流     

200mA

容量

2000VA

45HZ/55HZ   47.5HZ/52.5HZ

55HZ/65HZ   57.5HZ/62.5HZ     自動(dòng)雙變頻

5

自激電源

AC 0V∽50V/15A

6

分 辨 率

tgδ: 0.001%

Cx: 0.001pF

7

精    度

△tgδ:±(讀數*1.0%+0.040%)

△C x :±(讀數*1.0%+1.00PF)

8

測量范圍

tgδ

無(wú)限制

C x

15pF < Cx < 300nF

10KV

Cx < 60  nF

  1KV

Cx < 300 nF

CVT測試

Cx < 300 nF

9

LCR測量范圍

L>20H(2kV)           

R>10KΩ(2kV)

精度:0.1%

分辨率:0.01

10

CVT變比范圍

10∽10000 精度0.1% 

分辨率:0.01

11

絕緣電阻

直流高壓0.5-10KV     精度:±(讀數×2%+10V)

100kΩ-1000GΩ時(shí)低于5%(試驗電壓不低于250V)

100GΩ-1000GΩ時(shí)為10%(試驗電壓不低于10000V)

12

外型尺寸(主機

350(L)×270(W)×270(H)

外型尺寸(附件箱)

350(L)×270(W)×160(H)

13

存儲器大小

200 組 支持U盤(pán)數據存儲

14

重量(主機):22.75Kg

重量(附件箱):5.25Kg

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